Disco Duro Ssd interno samsung 850 evo 25 500 gb 500gb mz75e500beu de pulgadas interfaz sata 6 6gbs sata3 mz75e500b 540 2.5

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Marca: Samsung

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Características del producto

Arquitectura 3D V-NAND La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético. Trabaja más rápido gracias a TurboWrite La tecnología TurboWrite te ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura / escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de tu ordenador. Disfruta de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1,9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**. *PCmark7 (250 GB ): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO) **Escritura aleatoria (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO) Potencia y rendimiento El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutarás del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio. *PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid mode) Resistencia garantizada Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía. *TBW: Bytes totales escritos **TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB) ***Rendimiento constante 250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas. Trabaja por más tiempo Trabaja en tu portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND. *Consumo (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO) Protege tus datos con una encriptación más segura Protege tus datos con una encriptación más segura La unidad SSD 850 EVO cuenta con un motor de encriptado basado en hardware AES de 256 bits que mantendrá a salvo tu información sin reducir el rendimiento, cumpliendo con la normativa TCG Opal 2.0. Además, es totalmente compatible con Microsoft e-drive IEEE1667, por lo que tu información estará siempre segura. Olvídate del sobrecalentamiento Olvídate del sobrecalentamiento La protección Dynamic Thermal Guard de la unidad SSD 850 EVO mantiene la temperatura óptima para proteger la integridad de tus datos. La temperatura disminuye si se detecta un sobrecalentamiento, asegurando así la máxima protección de tu equipo. Instalación sencilla Instalación sencilla Migra todos tus datos y aplicaciones desde tu disco duro a la nueva unidad SSD 850 EVO en tres sencillos pasos. Gracias al software Samsung Magician optimizarás y gestionarás tu sistema de la forma más eficiente. Componentes de la mayor calidad Componentes de la mayor calidad Samsung es el único fabricante de unidades SSD que diseña y fabrica directamente todos los componentes. Así, puede garantizar que sus tarjetas ofrecen un increíble rendimiento, bajo consumo con hasta 1 GB de memoria caché LPDDR2 DRAM y la máxima eficiencia energética gracias al controlador MEX / MGX.

Características técnicas

Capacidad 500GB
Capacidad 500GB
Dimensiones (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm)
Dimensiones (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm)
Interfaz SATA 6Gb/s SATA 3Gb/s SATA 1.5Gb/s
Interfaz SATA 6Gb/s SATA 3Gb/s SATA 1.5Gb/s
SATA 6Gb/s
SATA 6Gb/s
SATA 3Gb/s
SATA 3Gb/s
SATA 1.5Gb/s
SATA 1.5Gb/s
Formato 2.5 inch
Formato 2.5 inch
Controller 500
Samsung MGX controller
NAND Flash Memory Samsung 32 capas 3D V-NAND
NAND Flash Memory Samsung 32 capas 3D V-NAND
DRAM Memoria Caché 512MB (500GB)
DRAM Memoria Caché 512MB (500GB)
Rendimiento Lectura Secuencial Max. 540 MB/sEscritura Secuencial Max. 520 MB/s4KB Lectura Aleatoria(QD1)Max. 10,000 IOPS4KB Escritura Aleatoria (QD1)Max. 40,000 IOPS4KB Lectura Aleatoria (QD32)Max. 98,000 IOPS(500GB)4KB Escritura Aleatoria (QD32)Max. 90,000 IOPS(500GB)
Rendimiento Lectura Secuencial Max. 540 MB/sEscritura Secuencial Max. 520 MB/s4KB Lectura Aleatoria(QD1)Max. 10,000 IOPS4KB Escritura Aleatoria (QD1)Max. 40,000 IOPS4KB Lectura Aleatoria (QD32)Max. 98,000 IOPS(500GB)4KB Escritura Aleatoria (QD32)Max. 90,000 IOPS(500GB)
Lectura Secuencial Max. 540 MB/s
Lectura Secuencial Max. 540 MB/s
Escritura Secuencial Max. 520 MB/s
Escritura Secuencial Max. 520 MB/s
4KB Lectura Aleatoria(QD1)
4KB Lectura Aleatoria(QD1)
Max. 10,000 IOPS
Max. 10,000 IOPS
4KB Escritura Aleatoria (QD1)
4KB Escritura Aleatoria (QD1)
Max. 40,000 IOPS
Max. 40,000 IOPS
4KB Lectura Aleatoria (QD32)
4KB Lectura Aleatoria (QD32)
Max. 98,000 IOPS(500GB)
Max. 98,000 IOPS(500GB)
4KB Escritura Aleatoria (QD32)
4KB Escritura Aleatoria (QD32)
Max. 90,000 IOPS(500GB)
Max. 90,000 IOPS(500GB)
Cifrado AES 256-bit Encriptado completo (FDE)
Cifrado AES 256-bit Encriptado completo (FDE)
TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667)
TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667)
Peso. 66g
Peso. 66g
VIda Utíl MTBF
1.5 million hours
TBW 500
150TBW
Idle
Max. 50mW
Modo Hibernación
2mW(500GB)
Temperatura Operativa
0°C to 70°CNo-Operativo: -40°C to 85°C
Operativa
0°C to 70°C
No-Operativo
-40°C to 85°C
Humedad 5% a 95% No-condensada
Humedad 5% a 95% No-condensada
5% a 95% No-condensada
5% a 95% No-condensada
Vibración no operativo
20~2000Hz, 20G
Golpe No operativo
1500G, duration 0.5m sec, 3 axis

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