Samsung 860 Ssd 1tb sata 3 vnand qlc 2.5 1000 serial iii mlc sata3 disco duro solido sataiii 1 qvomz76q1t0bw pulgadas interfaz 6 negro mz76q1t0bw 550

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Marca: Samsung

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Características del producto

El 860 QVO SSD le brinda gran capacidad de almacenamiento, con un rendimiento y confiabilidad sólidos. Con valor excepcional. Este avance se logró con la última tecnología de flash NAND QLC de 4 bits de Samsung. Ahora es el momento de actualizar o expandir el SSD rápido que necesita. Características: Los 4 bits QLC NAND de arquitectura no solo permite más espacio de almacenamiento en una celda, sino también una excelente capacidad en día los usuarios aplicaciones. Samsung establece además, a la tecnología de Intelligent Turbo Write, cargas de trabajo de los usuarios identifi discreto y proporciona un búfer dinámico. ESPECIFICACIONES TÉCNICAS: Peso y dimensiones Ancho: 100 mm Profundidad: 6,8 mm Altura: 69,8 mm Peso: 51 g Control de energía Voltaje de operación: 5 V Consumo de energía (max): 4 W Consumo de energía (promedio): 2,2 W Consumo de energía (espera): 0,03 W Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Golpes en funcionamiento: 1500 G Otras características Color del producto: Plata Características Factor de forma de disco SSD: 2.5" SDD, capacidad: 1000 GB Interfaz: Serial ATA III Tipo de memoria: Samsung V-NAND 4bit QLC NVMe: No Componente para: Portátil Velocidad de lectura: 550 MB/s Velocidad de escritura: 520 MB/s Tipo de flash NAND: QLC Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s Lectura aleatoria (4KB): 96000 IOPS Escritura aleatoria (4KB): 89000 IOPS Tipo de controlador: Samsung MJX Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si ECC: Si Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES IEEE 1667: Si Tiempo medio entre fallos: 1500000 h Función DevSleep: Si Recolección activa de elementos no utilizados: Si TCG Opal 2.0: Si calificación TBW: 360

Características técnicas

Algoritmos de seguridad soportados:
256-bit AES
calificación TBW:
1440
Componente para:
Portátil
ECC:
Si
Escritura aleatoria (4KB):
89000 IOPS
Factor de forma de disco SSD:
2.5"
Función DevSleep:
Si
IEEE 1667:
Si
Interfaz:
Serial ATA III
Lectura aleatoria (4KB):
96000 IOPS
NVMe:
No
Recolección activa de elementos no utilizados:
Si
SDD, capacidad:
1000 GB
Soporte S.M.A.R.T.:
Si
Soporte TRIM:
Si
TCG Opal 2.0:
Si
Tiempo medio entre fallos:
1500000 h
Tipo de controlador:
Samsung MJX
Tipo de flash NAND:
MLC (Multi Level Cell)
Tipo de memoria:
V-NAND MLC
Velocidad de escritura:
520 MB/s
Velocidad de lectura:
550 MB/s
Velocidad de transferencia de datos:
6 Gbit/s
Golpes en funcionamiento:
1500 G
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje:
5 - 95%
Intervalo de temperatura de almacenaje:
-40 - 85 °C
Intervalo de temperatura operativa:
0 - 70 °C
Consumo de energía (promedio):
2,2 W
Consumo de energía (espera):
0,03 W
Consumo de energía (max):
4 W
Voltaje de operación:
5 V
Color del producto:
Plata
Altura:
6,8 mm
Ancho:
100 mm
Peso:
51 g
Profundidad:
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